MOSFET；VISHAY；I7994DP-T1-GE3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SI7463DP-T1-GE3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SI7148DP-T1-E3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SIR882ADP-T1-GE3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SI4190DY-T1-GE3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SIR846DP-T1-GE3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SI7288DP-T1-GE3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SI7234DP-T1-GE3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SI7483ADP-T1-E3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
MOSFET；VISHAY；SI7848BDP-T1-GE3
制造商：VISHAY ；
类型：MOSFET ；
封装：SO-8 ；
工作温度范围：+ 150 C ~ - 55 C ；
