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晶体管
• SI3433CDV-T1-GE3 .pdf
晶体管极性:
P-Channel
汲极/源极击穿电压:
20 V
闸/源击穿电压:
+/- 8 V
漏极连续电流:
6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
0.038 Ohms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TSOP-6
封装:
Reel
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
1.6 W
工厂包装数量:
3000
典型关闭延迟时间:
50 ns
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